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NXP Semiconductors
PESD3V3S4UF; PESD5V0S4UF
Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
2. Pinning information
Table 2.
Pinning
Pin
1
Description
cathode (diode 1)
Simpli?ed outline
Symbol
2
common anode
1
2
3
1
6
3
4
cathode (diode 2)
cathode (diode 3)
2
3
5
4
5
6
common anode
cathode (diode 4)
6 5
bottom view
4
006aaa156
3. Ordering information
Table 3.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
PESD3V3S4UF
PESD5V0S4UF
XSON6
plastic extremely thin small outline package;
no leads; 6 terminals; body 1 × 1.45 × 0.5 mm
SOT886
4. Marking
Table 4.
Marking codes
Type number
PESD3V3S4UF
PESD5V0S4UF
Marking code [1]
A3
A4
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
5. Limiting values
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
P PP
I PP
peak pulse power
peak pulse current
t p = 8/20 μ s
t p = 8/20 μ s
[1][2]
[1][2]
-
-
110
10
W
A
PESD3V3S4UF_PESD5V0S4UF_1
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 17 January 2008
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